Titre :

A 140 GHz to 170 GHz active tunable noise source development in SiGe BiCMOS 55 nm technology

Auteur(s) :

Fiorese, Victor [Auteur]
ST Microélectronics
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carlos, Joao [Auteur]
Goncalves, Azevedo [Auteur]
Bouvot, Simon [Auteur]
ST Microélectronics
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
ST Microélectronics

Titre de la manifestation scientifique :

16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021

Ville :

London

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-04-03

Titre de la revue :

2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Éditeur :

IEEE

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

A new approach of millimeter wave (mmW) integrated active noise source (NS) is introduced for noise characterization up to 170 GHz. This NS is based on a diode biased in avalanche regime in BiCMOS 55 nm (B55) technology ...
Lire la suite >A new approach of millimeter wave (mmW) integrated active noise source (NS) is introduced for noise characterization up to 170 GHz. This NS is based on a diode biased in avalanche regime in BiCMOS 55 nm (B55) technology from STMicroelectronics. In order to increase the noise sensitivity of setup using this NS, a two-stage cascode Low Noise Amplifier (LNA) composed of 4 high speed NPN transistors is cascaded at its output, targeting high available Excess Noise Ratios (ENRav). ENRav levels have been extracted, showing tunable values ranged between 0 dB to 37 dB in the 140-170 GHz frequency range.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Commentaire :

oral EuMIC08-5Session EuMIC08 - Components and Subsystems for 100 GHz and Above

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL