Title :

A 140 GHz to 170 GHz active tunable noise source development in SiGe BiCMOS 55 nm technology

Author(s) :

Fiorese, Victor [Auteur]
ST Microélectronics
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carlos, Joao [Auteur]
Goncalves, Azevedo [Auteur]
Bouvot, Simon [Auteur]
ST Microélectronics
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
ST Microélectronics

Conference title :

16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021

City :

London

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

2022-04-03

Journal title :

2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Publisher :

IEEE

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

A new approach of millimeter wave (mmW) integrated active noise source (NS) is introduced for noise characterization up to 170 GHz. This NS is based on a diode biased in avalanche regime in BiCMOS 55 nm (B55) technology ...
Show more >A new approach of millimeter wave (mmW) integrated active noise source (NS) is introduced for noise characterization up to 170 GHz. This NS is based on a diode biased in avalanche regime in BiCMOS 55 nm (B55) technology from STMicroelectronics. In order to increase the noise sensitivity of setup using this NS, a two-stage cascode Low Noise Amplifier (LNA) composed of 4 high speed NPN transistors is cascaded at its output, targeting high available Excess Noise Ratios (ENRav). ENRav levels have been extracted, showing tunable values ranged between 0 dB to 37 dB in the 140-170 GHz frequency range.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Comment :

oral EuMIC08-5Session EuMIC08 - Components and Subsystems for 100 GHz and Above

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL