[Invited] High power-added-efficiency millimeter-wave GaN HEMTs

[Invited]

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée
Title :
[Invited] High power-added-efficiency millimeter-wave GaN HEMTs
[Invited]
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Orateur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Conference title :
GaN marathon 2022
City :
Venice
Country :
Italie
Start date of the conference :
2022-06-20
Publication date :
2022
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Réseau national sur GaN
Collections :
Source :
Harvested from HAL