[Invited] High power-added-efficiency millimeter-wave GaN HEMTs

[Invited]

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée
Titre :
[Invited] High power-added-efficiency millimeter-wave GaN HEMTs
[Invited]
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Orateur] refId
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
GaN marathon 2022
Ville :
Venice
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2022-06-20
Date de publication :
2022
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Réseau national sur GaN
Collections :
Source :
Harvested from HAL