Tunable room temperature THz emission from ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Author(s) :
Diakonova, Nina [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Theron, Didier [Auteur] refId
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Poisson, M. A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Conference title :
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
City :
Rome
Country :
Italie
Start date of the conference :
2010-09-05
Book title :
35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)
Publisher :
IEEE SERVICE CENTER, 445 HOES LANE, PO BOX 1331, PISCATAWAY, NJ 08855-1331 USA
Publication date :
2010
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
English abstract : [en]
We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL