Titre :

Hot-carrier injections in SiO2

Auteur(s) :

Vuillaume, D [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bravaix, Alain [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Goguenheim, D [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]

Titre de la revue :

Microelectronics Reliability

Pagination :

7-22

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

1998-02

ISSN :

0026-2714

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Hot-Carriers
MOSFETs
gate-oxide
interface traps
oxide charges
dynamic aging
Stress-induced leakage currents

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We review the hot-carrier injection phenomena in gate-oxide and the related degradation in silicon MOSFETs. We discuss the basic degradation mechanisms and the nature of the created defects by carrier injections through ...
Lire la suite >We review the hot-carrier injection phenomena in gate-oxide and the related degradation in silicon MOSFETs. We discuss the basic degradation mechanisms and the nature of the created defects by carrier injections through the gate-oxide. Emphasis is put on the discussion of dynamic hot-carrier injections in MOSFETs and on the stress induced leakage currents in very thin (<∼5 nm) gate-oxide.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL