Titre :

Assessing the insulating properties of an ultrathin SrTiO3 shell grown around GaAs nanowires with molecular beam epitaxy

Auteur(s) :

Peric, Nemanja [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dursap, Thomas [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Becdelievre, Jeanne [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Berthe, Maxime [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Addad, A. [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Rojo Romeo, Pedro [Auteur]
INL - Nanophotonique [INL - Photonique]
Bachelet, Romain [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Saint-Girons, Guillaume [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Lancry, Ophélie [Auteur]
HORIBA Scientific [France]
HORIBA France SAS [Villeneuve d'Ascq]
Legendre, Sébastien [Auteur]
HORIBA France SAS [Villeneuve d'Ascq]
HORIBA Scientific [France]
Biadala, Louis [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Penuelas, Jose [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Nanotechnology

Pagination :

375702

Éditeur :

Institute of Physics

Date de publication :

2022-09-10

ISSN :

0957-4484

Mot(s)-clé(s) en anglais :

core-shell nanowire
functional oxides
heterointerface
transport properties
multiple-tip scanning tunneling microscopy

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We have studied electronic transport in undoped GaAs/SrTiO3 core-shell nanowires standing on their Si substrate with two-tip scanning tunneling microscopy in ultrahigh vacuum. The resistance profile along the nanowires is ...
Lire la suite >We have studied electronic transport in undoped GaAs/SrTiO3 core-shell nanowires standing on their Si substrate with two-tip scanning tunneling microscopy in ultrahigh vacuum. The resistance profile along the nanowires is proportional to the tip separation with resistances per unit length of a few GΩ/um. Examination of the different transport pathways parallel to the nanowire growth axis reveals that the measured resistance is consistent with a conduction along the interfacial states at the GaAs{110} sidewalls, the 2 nm-thick SrTiO3 shell being as much as resistive, despite oxygen deficient growth conditions. The origin of the shell resistivity is discussed in light of the nanowire analysis with transmission electron microscopy and Raman spectroscopy, providing good grounds for the use of SrTiO3 shells as gate insulators.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL