Influence of Current Collapse due to Vds ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
URL permanente :
Titre :
Influence of Current Collapse due to Vds Bias Effect on GaN-HEMTs Id-Vds Characteristics in Saturation Region
Auteur(s) :
LU, Xuyang [Auteur]
Centrale Lille
Coventry University
Videt, Arnaud [Auteur]
Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance (L2EP) - ULR 2697
LI, Ke [Auteur]
Coventry University
FARAMEHR, Soroush [Auteur]
Coventry University
IGIC, Petar [Auteur]
Coventry University
IDIR, Nadir [Auteur]
Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance (L2EP) - ULR 2697
Centrale Lille
Coventry University
Videt, Arnaud [Auteur]
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Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance (L2EP) - ULR 2697
LI, Ke [Auteur]
Coventry University
FARAMEHR, Soroush [Auteur]
Coventry University
IGIC, Petar [Auteur]
Coventry University
IDIR, Nadir [Auteur]
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Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique de Puissance (L2EP) - ULR 2697
Titre de la manifestation scientifique :
EPE 2022 ECCE Europe (European Power Electronics)
Ville :
Hannover
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2022-09-05
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gallium Nitride (GaN)
Double pulse test
Device characterisation
Switching losses
Threshold voltage shift
Double pulse test
Device characterisation
Switching losses
Threshold voltage shift
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
A new method is proposed in this paper to investigate the influence of current collapse effect on the Id-Vds characteristics of GaN-HEMTs in high voltage region based on a modified H-bridge circuit. The measured Id-Vds ...
Lire la suite >A new method is proposed in this paper to investigate the influence of current collapse effect on the Id-Vds characteristics of GaN-HEMTs in high voltage region based on a modified H-bridge circuit. The measured Id-Vds characteristics with and without the Vds bias are compared, which shows the effect of charge trapping due to the Vds bias on device Id-Vds characteristics in saturation region. These data will be used for a device model including the current collapse effect in full Id-Vds region.Lire moins >
Lire la suite >A new method is proposed in this paper to investigate the influence of current collapse effect on the Id-Vds characteristics of GaN-HEMTs in high voltage region based on a modified H-bridge circuit. The measured Id-Vds characteristics with and without the Vds bias are compared, which shows the effect of charge trapping due to the Vds bias on device Id-Vds characteristics in saturation region. These data will be used for a device model including the current collapse effect in full Id-Vds region.Lire moins >
Langue :
Anglais
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Établissement(s) :
Université de Lille
Centrale Lille
Arts et Métiers Sciences et Technologies
Junia HEI
Centrale Lille
Arts et Métiers Sciences et Technologies
Junia HEI
Équipe(s) de recherche :
Équipe Électronique de puissance
Date de dépôt :
2022-09-02T11:23:41Z
2022-09-03T08:07:38Z
2022-09-03T08:07:38Z
Fichiers
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