Titre :

Optoelectronic THz mixer based on iron-doped InGaAs in a plasmonic microcavity

Auteur(s) :

Tannoury, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Merupo, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohlhaas, R. [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Globisch, B. [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

Ville :

Delft

Pays :

Pays-Bas

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-08-28

Éditeur :

IEEE

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We present an optoelectronic THz mixer based on irondoped InGaAs integrated into a plasmonic microcavity. The measured conversion loss is as low as ∼30 dB at 300 GHz, which constitutes a 30 dB improvement in comparison to ...
Lire la suite >We present an optoelectronic THz mixer based on irondoped InGaAs integrated into a plasmonic microcavity. The measured conversion loss is as low as ∼30 dB at 300 GHz, which constitutes a 30 dB improvement in comparison to state-of-the-art photoconductors without a plasmonic microcavity. In particular for application as receivers in high-data rate wireless telecom the presented design is very promising.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL