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Optoelectronic THz mixer based on iron-doped ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/IRMMW-THz50927.2022.9895790
Title :
Optoelectronic THz mixer based on iron-doped InGaAs in a plasmonic microcavity
Author(s) :
Tannoury, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Merupo, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Kohlhaas, R. [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Ducournau, Guillaume [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Globisch, B. [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
City :
Delft
Country :
Pays-Bas
Start date of the conference :
2022-08-28
Publisher :
IEEE
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We present an optoelectronic THz mixer based on irondoped InGaAs integrated into a plasmonic microcavity. The measured conversion loss is as low as ∼30 dB at 300 GHz, which constitutes a 30 dB improvement in comparison to ...
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We present an optoelectronic THz mixer based on irondoped InGaAs integrated into a plasmonic microcavity. The measured conversion loss is as low as ∼30 dB at 300 GHz, which constitutes a 30 dB improvement in comparison to state-of-the-art photoconductors without a plasmonic microcavity. In particular for application as receivers in high-data rate wireless telecom the presented design is very promising.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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