Title :

Scalable Modeling of Transient Self-Heating of GaN High-Electron-Mobility Transistors Based on Experimental Measurements

Author(s) :

Cutivet, A. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Pavlidis, G. [Auteur]
Hassan, B. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Bouchilaoun, M. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Rodriguez, C. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Soltani, Ali [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Graham, S. [Auteur]
Boone, F. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Maher, H. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]

Journal title :

IEEE Transactions on Electron Devices

Pages :

2139-2145

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2019-05

ISSN :

0018-9383

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL