Titre :

Scalable Modeling of Transient Self-Heating of GaN High-Electron-Mobility Transistors Based on Experimental Measurements

Auteur(s) :

Cutivet, A. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Pavlidis, G. [Auteur]
Hassan, B. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Bouchilaoun, M. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Rodriguez, C. [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Soltani, Ali [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Graham, S. [Auteur]
Boone, F. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Maher, H. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
OMMIC

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Electron Devices

Pagination :

2139-2145

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2019-05

ISSN :

0018-9383

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Gallium nitride (GaN)
gate resistance thermometry (GRT)
high-electron-mobilitytransistors (HEMTs)
modeling
thermoreflectance
transient temperature measurement.

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Abstract:This paper details an extraction procedure to fully model the transient self-heating of transistors from a GaN HEMT technology. Frequency-resolved gate resistance thermometry (f-GRT) is used to extract the thermal ...
Lire la suite >Abstract:This paper details an extraction procedure to fully model the transient self-heating of transistors from a GaN HEMT technology. Frequency-resolved gate resistance thermometry (f-GRT) is used to extract the thermal impedance of HEMTs with various gate widths. A fully scalable analytical model is developed from the experimental results. In the second stage, transient thermoreflectance imaging (TTI) is used to bring deeper insights into the HEMTs' temperature distribution by individually extracting the transient self-heating of each finger. TTI results are further used to successfully validate the f-GRT results and the modeling of the thermal impedance. Overall, f-GRT is demonstrated to be a fast and robust method for characterizing the transient thermal characteristics of a GaN HEMT. For the first time to the authors' knowledge, a scalable model of the thermal impedance is extracted fully from experimental results.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL