Titre :

Fully relaxed low-mismatched InAlAs layer on an InP substrate by using a two step buffer

Auteur(s) :

Plissard, Sébastien [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Androussi, Yidir [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics

Numéro :

107

Pagination :

16102

Date de publication :

2010

Langue :

Anglais

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Établissement(s) :

Université de Lille
ISEN
Univ. Valenciennes
ENSCL
CNRS
INRA
Institut Catholique Lille
Centrale Lille

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
• Unité Matériaux et Transformations (UMET) - UMR 8207

Date de dépôt :

2019-05-16T15:14:21Z