Title :

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications

Author(s) :

Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Portail, Marc [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bah, M [Auteur]
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) [GREMAN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Ngo, T-H. [Auteur]
Abou Daher, M. [Auteur]
Zielinski, M. [Auteur]
INL - Conception de Systèmes Hétérogènes [INL - CSH]
Alquier, Daniel [Auteur]
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies) [GREMAN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Conference title :

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020)

City :

Tours

Country :

France

Start date of the conference :

2021-10-24

HAL domain(s) :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL