Optimized ohmic contacts for InAlGaN/GaN HEMTs
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Optimized ohmic contacts for InAlGaN/GaN HEMTs
Author(s) :
Ruterana, Pierre [Auteur]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Chauvat, Marie [Auteur]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Morales, Magali [Auteur]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Gamarra, Piero [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Christian [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Chauvat, Marie [Auteur]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Morales, Magali [Auteur]
Propriétés des Matériaux pour les Economies d'Energie [PM2E]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Gamarra, Piero [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Christian [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Conference title :
ASDAM 2022 - 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
City :
Smolenice
Country :
Slovaquie
Start date of the conference :
2022-10-23
Publisher :
IEEE
Publication date :
2022
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this work, we have carried out a detailed transmission electron microscopy investigation on ohmic contacts in InAl GaN/GaN high electron mobility transistors consisting of Ti/Al/Ni/Au deposited by evaporation electron ...
Show more >In this work, we have carried out a detailed transmission electron microscopy investigation on ohmic contacts in InAl GaN/GaN high electron mobility transistors consisting of Ti/Al/Ni/Au deposited by evaporation electron beam followed by a rapid thermal annealing at 875°C for 30s under N2 atmosphere. Subsequent to an optimized surface preparation, prior to the metal deposition, it has been possible to systematically obtain a contact resistance of 0.15-0.16 Ω.mm instead of the usual 0.5-0.6 Ω.mm. This is comparable to the state of the art results which have been published subsequent to more complex processes including molecular beam regrowth.Show less >
Show more >In this work, we have carried out a detailed transmission electron microscopy investigation on ohmic contacts in InAl GaN/GaN high electron mobility transistors consisting of Ti/Al/Ni/Au deposited by evaporation electron beam followed by a rapid thermal annealing at 875°C for 30s under N2 atmosphere. Subsequent to an optimized surface preparation, prior to the metal deposition, it has been possible to systematically obtain a contact resistance of 0.15-0.16 Ω.mm instead of the usual 0.5-0.6 Ω.mm. This is comparable to the state of the art results which have been published subsequent to more complex processes including molecular beam regrowth.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :
Files
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- OhmiContacts%20PRuteranaAsdam2022.pdf
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