Titre :

Influence of inhomogeneous strain relaxation on the photoluminescence of II-VI nanostructures

Auteur(s) :

Niquet, Y.M. [Auteur]
Laboratoire de Spectrométrie Physique [LSP]
Gourgon, Cécile [Auteur]
Laboratoire de Spectrométrie Physique [LSP]
Dang, L.S. [Auteur]
Laboratoire de Spectrométrie Physique [LSP]
Mariette, H. [Auteur]
Laboratoire de Spectrométrie Physique [LSP]
Priester, Catherine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Vieu, Christophe [Auteur]
Équipe Ingénierie pour les sciences du vivant [LAAS-ELIA]
Brunthaler, G. [Auteur]
Institute of Semiconductor and Solid State Physics
Straub, H. [Auteur]
Institute of Semiconductor and Solid State Physics
Darhuber, A. [Auteur]
Institute of Semiconductor and Solid State Physics
Faschinger, W. [Auteur]
Institute of Semiconductor and Solid State Physics
Bauer, G. [Auteur]
Institute of Semiconductor and Solid State Physics

Titre de la revue :

Journal of Crystal Growth

Pagination :

334-338

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

1998-02-01

ISSN :

0022-0248

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL