Large-area epitaxial Mott insulating ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Large-area epitaxial Mott insulating 1T-TaSe2 monolayer on GaP(111)B
Author(s) :
Koussir, Houda [Auteur]
JUNIA [JUNIA]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chernukha, Yevheniia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sthioul, Corentin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haber, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peric, Nemanja [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Biadala, Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Capiod, Pierre [Auteur]
JUNIA [JUNIA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lefebvre, Isabelle [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Diener, Pascale [Auteur]
JUNIA [JUNIA]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
JUNIA [JUNIA]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chernukha, Yevheniia [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sthioul, Corentin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haber, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peric, Nemanja [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Biadala, Louis [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Capiod, Pierre [Auteur]

JUNIA [JUNIA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]

Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lefebvre, Isabelle [Auteur]

Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]

EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Diener, Pascale [Auteur]

JUNIA [JUNIA]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Nano Letters
Pages :
9413–9419
Publisher :
American Chemical Society
Publication date :
2023-10-25
ISSN :
1530-6984
English keyword(s) :
TaSe2
2D
Mott
MBE
GaP
STM
spectroscopy
nanoprobe
Mottronics
2D
Mott
MBE
GaP
STM
spectroscopy
nanoprobe
Mottronics
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
English abstract : [en]
Two dimensional Mott materials have recently been reported in the dichalcogenides family with high potential for Mottronics applications. Nevertheless, their widespread use as a single or few layers is hampered by their ...
Show more >Two dimensional Mott materials have recently been reported in the dichalcogenides family with high potential for Mottronics applications. Nevertheless, their widespread use as a single or few layers is hampered by their limited device integration resulting from their growth on graphene - a metallic substrate. Here, we report on the fabrication of 1T-TaSe2 monolayers grown by molecular beam epitaxy on semiconducting gallium phosphide substrates. At the nanoscale, the charge density wave reconstruction and a Moiré pattern resulting from the monolayer interaction with the substrate are observed by scanning tunneling microscopy. The fully open gap unveiled by tunneling spectroscopy, which can be further manipulated by the proximity of a metal tip, is confirmed by transport measurements from micrometric to millimetric scales, demonstrating a robust Mott insulating phase up to 400 K.Show less >
Show more >Two dimensional Mott materials have recently been reported in the dichalcogenides family with high potential for Mottronics applications. Nevertheless, their widespread use as a single or few layers is hampered by their limited device integration resulting from their growth on graphene - a metallic substrate. Here, we report on the fabrication of 1T-TaSe2 monolayers grown by molecular beam epitaxy on semiconducting gallium phosphide substrates. At the nanoscale, the charge density wave reconstruction and a Moiré pattern resulting from the monolayer interaction with the substrate are observed by scanning tunneling microscopy. The fully open gap unveiled by tunneling spectroscopy, which can be further manipulated by the proximity of a metal tip, is confirmed by transport measurements from micrometric to millimetric scales, demonstrating a robust Mott insulating phase up to 400 K.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :
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