Piezoresistivity effects in N-MOSFET devices

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SENSOR.1991.149069
Title :
Piezoresistivity effects in N-MOSFET devices
Author(s) :
Wang, Z.Z. [Auteur]
Suski, J. [Auteur]
Collard, D. [Auteur]
Laboratory for Integrated Micro Mechatronics Systems [LIMMS]
Institute of Industrial Science [Tokyo] [IIS]
Dubois, Emmanuel [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Conference title :
TRANSDUCERS '91: 1991 International Conference on Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers
City :
San Francisco
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
1991-06-24
Publisher :
IEEE
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL