Titre :

Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence

Auteur(s) :

Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Fleury, Alain [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gheysens, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Monfray, Stéphane [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Pays :

France

Date de publication :

2023-09-11

Numéro du brevet :

FR2309552

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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