Non-quasi-static SOI MOSFET model dedicated ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SOI.1996.552470
Titre :
Non-quasi-static SOI MOSFET model dedicated for analog circuit design
Auteur(s) :
Robilliart, E. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
1996 IEEE International SOI Conference Proceedings
Ville :
Sanibel Island
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
1996-10
Éditeur :
IEEE
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL