RF Performances and De-Embedding Techniques ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
RF Performances and De-Embedding Techniques of Passive Devices in 3D Homogeneous Integration at Sub-THz
Author(s) :
Oliveira, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]

Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Conference title :
2023 53rd European Microwave Conference (EuMC)
City :
Berlin
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2023-09-19
Publisher :
IEEE
English keyword(s) :
3D homogeneous integrated device
sub-THz
passive components
characterization
calibration techniques
de-embedding techniques
copper pillar
sub-THz
passive components
characterization
calibration techniques
de-embedding techniques
copper pillar
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this paper, passive devices integrated in the top-tier level of a 3D homogeneous integration are characterized up to 220 GHz. A three steps de-embedding process is performed to remove 1.5 mm access line and 25μm vertical ...
Show more >In this paper, passive devices integrated in the top-tier level of a 3D homogeneous integration are characterized up to 220 GHz. A three steps de-embedding process is performed to remove 1.5 mm access line and 25μm vertical Cu-pillars parasitic contribution. This process will enable to separate the technology from the millimeter-wave measurement. To validate the technique two different devices: a transmission line and an inductor are studied and compared to stand-alone planar reference device at sub-THz.Show less >
Show more >In this paper, passive devices integrated in the top-tier level of a 3D homogeneous integration are characterized up to 220 GHz. A three steps de-embedding process is performed to remove 1.5 mm access line and 25μm vertical Cu-pillars parasitic contribution. This process will enable to separate the technology from the millimeter-wave measurement. To validate the technique two different devices: a transmission line and an inductor are studied and compared to stand-alone planar reference device at sub-THz.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :