Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects
Author(s) :
Harrouche, Kathia [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ben-Hammou, Lyes [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Grandpierron, François [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Shanbhag, Ajay [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ben-Hammou, Lyes [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Grandpierron, François [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Shanbhag, Ajay [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
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WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Conference title :
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
City :
Nagoya
Country :
Japon
Start date of the conference :
2023-11-12
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :
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