High Capacitance Porous Ruthenium Nitride ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High Capacitance Porous Ruthenium Nitride Films with High Rate Capability for Micro‐Supercapacitors
Auteur(s) :
Dinh, Khac Huy [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Whang, Grace [Auteur]
University of California [Los Angeles] [UCLA]
Huve, Marielle [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Barnabé, Antoine [Auteur]
Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Dunn, Bruce [Auteur]
University of California [Los Angeles] [UCLA]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Lethien, Christophe [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut universitaire de France [IUF]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Whang, Grace [Auteur]
University of California [Los Angeles] [UCLA]
Huve, Marielle [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Barnabé, Antoine [Auteur]
Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Dunn, Bruce [Auteur]
University of California [Los Angeles] [UCLA]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Lethien, Christophe [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut universitaire de France [IUF]
Titre de la revue :
Small
Éditeur :
Wiley-VCH Verlag
Date de publication :
2024
ISSN :
1613-6810
Mot(s)-clé(s) en anglais :
micro-supercapacitors
pseudocapacitive
ruthenium nitride
pseudocapacitive
ruthenium nitride
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
Résumé en anglais : [en]
The demand for high-performance energy storage devices to power Internet of Things applications has driven intensive research on micro-supercapacitors (MSCs). In this study, RuN films made by magnetron sputtering as an ...
Lire la suite >The demand for high-performance energy storage devices to power Internet of Things applications has driven intensive research on micro-supercapacitors (MSCs). In this study, RuN films made by magnetron sputtering as an efficient electrode material for MSCs are investigated. The sputtering parameters are carefully studied in order to maximize film porosity while maintaining high electrical conductivity, enabling a fast charging process. Using a combination of advanced techniques, the relationships among the morphology, structure, and electrochemical properties of the RuN films are investigated. The films are shown to have a complex structure containing a mixture of crystallized Ru and RuN phases with an amorphous oxide layer. The combination of high electrical conductivity and pseudocapacitive charge storage properties enabled a 16 µm-thick RuN film to achieve a capacitance value of 0.8 F cm$^{−2}$ in 1 m KOH with ultra-high rate capability.Lire moins >
Lire la suite >The demand for high-performance energy storage devices to power Internet of Things applications has driven intensive research on micro-supercapacitors (MSCs). In this study, RuN films made by magnetron sputtering as an efficient electrode material for MSCs are investigated. The sputtering parameters are carefully studied in order to maximize film porosity while maintaining high electrical conductivity, enabling a fast charging process. Using a combination of advanced techniques, the relationships among the morphology, structure, and electrochemical properties of the RuN films are investigated. The films are shown to have a complex structure containing a mixture of crystallized Ru and RuN phases with an amorphous oxide layer. The combination of high electrical conductivity and pseudocapacitive charge storage properties enabled a 16 µm-thick RuN film to achieve a capacitance value of 0.8 F cm$^{−2}$ in 1 m KOH with ultra-high rate capability.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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