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Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 2001, 2001 -
Etude de HEMTs sur GaN
GDR Matériaux Grand Gap, Grenoble, 2001, 2001 -
Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002 -
Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology
25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, Chernogolovka, 2002, 2002 -
Mise en évidence des effets de pièges en régime dynamique grand signal (F = 4 GHz)
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002 -
Optimisation des performances statiques des HEMTs AlGaN/GaN par traitement plasma
GDR Grand Gap, Nice, 2003, 2003 -
Optimisation des performances du transistor HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si
GDR Grand Gap, Nice, 2003, 2003 -
First results of GaN MESFET's realized on (111) Si
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, Ulm, 2000, 2000 -
RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivator
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, San Diego, CA, 2000, 2000 -
Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, Ulm, 2000, 2000