Recherche
Résultats 1-10 de 18
-
Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 2001, 2001 -
Réalisation de grille nitrure de longueur inférieure à 100nm pour des applications haute fréquence de HEMTs AlGaN/GaN
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, La Plagne, 2002, 2002 -
Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité
GDR Grand Gap, Fréjus, 2004, 2004 -
Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si
GDR Grand Gap, Fréjus, 2004, 2004 -
Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 2001, 2001 -
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 2001, 2001 -
Etude de HEMTs sur GaN
GDR Matériaux Grand Gap, Grenoble, 2001, 2001 -
Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002