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Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 16-05-2001, 2001 -
Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 2001, 2001 -
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, Poitiers, 2001, 2001 -
Etude de HEMTs sur GaN
GDR Matériaux Grand Gap, Grenoble, 2001, 2001 -
Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002 -
Mise en évidence des effets de pièges en régime dynamique grand signal (F = 4 GHz)
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002 -
Les transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance microonde : état de l'art et perspectives
5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme, JMET 2002, Toulouse, 2002, 2002Communication dans un congrès avec actes -
Optimisation des performances statiques des HEMTs AlGaN/GaN par traitement plasma
GDR Grand Gap, Nice, 2003, 2003 -
Optimisation des performances du transistor HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si
GDR Grand Gap, Nice, 2003, 2003 -
HEMT métamorphique pour applications de puissance en bande V : influence de la couche de barrière
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes