Generation of mW level in the 300-GHz band ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Generation of mW level in the 300-GHz band using resonant-cavity-enhanced unitraveling carrier photodiodes
Author(s) :
Latzel, Philipp [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pavanello, Fabio [Auteur]
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beck, Alexandre [Auteur]
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON [FOTON]
Vanwolleghem, Mathias [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pavanello, Fabio [Auteur]
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beck, Alexandre [Auteur]
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON [FOTON]
Vanwolleghem, Mathias [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Journal title :
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
Pages :
800-807
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2017
ISSN :
2156-342X
English keyword(s) :
Millimeter-wave/ terahertz (THz) wave generation
unitraveling carrier photodiodes (UTC-PDs)
unitraveling carrier photodiodes (UTC-PDs)
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We present a resonant-cavity-enhanced broadband unitraveling carrier photodiode optimized for terahertz (THz) generation. It uses a novel semitransparent top-contact utilizing subwavelength apertures for enhanced optical ...
Show more >We present a resonant-cavity-enhanced broadband unitraveling carrier photodiode optimized for terahertz (THz) generation. It uses a novel semitransparent top-contact utilizing subwavelength apertures for enhanced optical transmission. The contact allows front-side illumination of the photodiode using 1.55-mu m-wavelength light, while still retaining a small contact resistance suitable for photomixing at THz frequencies. The responsivity of the device is improved by introducing a metallic mirror below the diode mesa through wafer bonding, producing an optical resonant cavity. A record continuous-wave output power of 750 mu W is measured for a single photodiode at 300 GHz. Record values of efficiency are also demonstrated.Show less >
Show more >We present a resonant-cavity-enhanced broadband unitraveling carrier photodiode optimized for terahertz (THz) generation. It uses a novel semitransparent top-contact utilizing subwavelength apertures for enhanced optical transmission. The contact allows front-side illumination of the photodiode using 1.55-mu m-wavelength light, while still retaining a small contact resistance suitable for photomixing at THz frequencies. The responsivity of the device is improved by introducing a metallic mirror below the diode mesa through wafer bonding, producing an optical resonant cavity. A record continuous-wave output power of 750 mu W is measured for a single photodiode at 300 GHz. Record values of efficiency are also demonstrated.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :