Improved performance of flexible CMOS ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Improved performance of flexible CMOS technology using ultimate thinning and transfer bonding
Auteur(s) :
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Philippe, Justine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthomé, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Raynaud, Christine [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Philippe, Justine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthomé, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Raynaud, Christine [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Titre de la manifestation scientifique :
6th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC)
Ville :
Grenoble
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2016-09-13
Titre de l’ouvrage :
6th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2016
Mot(s)-clé(s) en anglais :
CMOS integrated circuits
harmonic analysis
integrated circuit bonding
MOSFET
radiofrequency integrated circuits
harmonic analysis
integrated circuit bonding
MOSFET
radiofrequency integrated circuits
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Based on a simple process referred to as ultimate thinning-and-transfer-bonding (UTTB), this paper shows that the high-frequency performance of advanced CMOS technologies can be combined with mechanical flexibility and ...
Lire la suite >Based on a simple process referred to as ultimate thinning-and-transfer-bonding (UTTB), this paper shows that the high-frequency performance of advanced CMOS technologies can be combined with mechanical flexibility and transparency. The invariance upon thinning, transfer and flexure of both DC and RF CMOS electrical characteristics is demonstrated. Specific to high power RF applications, the complete elimination of the silicon handler improves the second and third harmonic rejection by 36 and 40 dBm, respectively, when compared to a high resistivity SOI substrate.Lire moins >
Lire la suite >Based on a simple process referred to as ultimate thinning-and-transfer-bonding (UTTB), this paper shows that the high-frequency performance of advanced CMOS technologies can be combined with mechanical flexibility and transparency. The invariance upon thinning, transfer and flexure of both DC and RF CMOS electrical characteristics is demonstrated. Specific to high power RF applications, the complete elimination of the silicon handler improves the second and third harmonic rejection by 36 and 40 dBm, respectively, when compared to a high resistivity SOI substrate.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :