Characterization and modeling of traps and ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs
Auteur(s) :
Sanchez-Martin, Hector [Auteur correspondant]
Universidad de Salamanca
Garcia-Perez, Oscar [Auteur]
Universidad de Salamanca
Íñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca
Perez, Susana [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
González, Tomás [Auteur]
Mateos, Javier [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Universidad de Salamanca
Garcia-Perez, Oscar [Auteur]
Universidad de Salamanca
Íñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca
Perez, Susana [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
González, Tomás [Auteur]
Mateos, Javier [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Titre de la manifestation scientifique :
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Ville :
London
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2016-10-03
Titre de l’ouvrage :
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Titre de la revue :
Proceedings of 11th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2016
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2016
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gallium nitride (GaN)
high electron mobility transistor (HEMT)
small signal equivalent circuit
traps
high electron mobility transistor (HEMT)
small signal equivalent circuit
traps
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The performance of GaN transistors is still limited by physical and fabrication problems, mainly related to different kinds of traps. In this work, virgin transistors reveals strong low frequency dispersion both in the ...
Lire la suite >The performance of GaN transistors is still limited by physical and fabrication problems, mainly related to different kinds of traps. In this work, virgin transistors reveals strong low frequency dispersion both in the transconductance and output conductance, that we attribute to the presence of traps in the GaN channel and the ohmic contacts. These effects have been modeled in the equivalent circuit of the transistors achieving a satisfactory agreement with the measured S-parameters.Lire moins >
Lire la suite >The performance of GaN transistors is still limited by physical and fabrication problems, mainly related to different kinds of traps. In this work, virgin transistors reveals strong low frequency dispersion both in the transconductance and output conductance, that we attribute to the presence of traps in the GaN channel and the ohmic contacts. These effects have been modeled in the equivalent circuit of the transistors achieving a satisfactory agreement with the measured S-parameters.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :