Thermal analysis of ultimately-thinned-a ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Thermal analysis of ultimately-thinned-and-transfer-bonded CMOS on mechanically flexible foils
Auteur(s) :
Philippe, Justine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bhaskar, Arun [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Braud, Flavie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Raynaud, Christine [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bhaskar, Arun [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Braud, Flavie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Raynaud, Christine [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Journal of the Electron Devices Society
Pagination :
973-978
Éditeur :
IEEE Electron Devices Society
Date de publication :
2019-09-06
ISSN :
2168-6734
Mot(s)-clé(s) en anglais :
CMOS
SOI
thin film
flexible electronics
thermal management
SOI
thin film
flexible electronics
thermal management
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
Thinned CMOS chips transfer-bonded onto a compliant host substrate remain to date the technology of choice for applications requiring both mechanical flexibility and high frequency operation. However, the use of poorly ...
Lire la suite >Thinned CMOS chips transfer-bonded onto a compliant host substrate remain to date the technology of choice for applications requiring both mechanical flexibility and high frequency operation. However, the use of poorly thermally conductive host substrates raises the problem of thermal management of flexible electronics, a topic poorly addressed in literature. In this letter, we report the analysis of flexible SOI-CMOS chips ultimately-thinned-and-transfer-bonded (UTTB) onto polyimide and copper substrates. While the temperature remains limited to ∼68 • C on the native silicon substrate or after transfer onto a copper host substrate, infrared thermography reveals temperature peaks of up to 118 • C on polyimide. The impact of self-heating in flexible SOI-CMOS is correlated with electrical performance for the three types of substrates. Beyond the property of mechanical flexibility it provides, a copper substrate is shown to slightly strengthen electrostatic integrity while maintaining a thermal landscape close to that of silicon.Lire moins >
Lire la suite >Thinned CMOS chips transfer-bonded onto a compliant host substrate remain to date the technology of choice for applications requiring both mechanical flexibility and high frequency operation. However, the use of poorly thermally conductive host substrates raises the problem of thermal management of flexible electronics, a topic poorly addressed in literature. In this letter, we report the analysis of flexible SOI-CMOS chips ultimately-thinned-and-transfer-bonded (UTTB) onto polyimide and copper substrates. While the temperature remains limited to ∼68 • C on the native silicon substrate or after transfer onto a copper host substrate, infrared thermography reveals temperature peaks of up to 118 • C on polyimide. The impact of self-heating in flexible SOI-CMOS is correlated with electrical performance for the three types of substrates. Beyond the property of mechanical flexibility it provides, a copper substrate is shown to slightly strengthen electrostatic integrity while maintaining a thermal landscape close to that of silicon.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02317229/document
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- https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/8656606/08826282.pdf
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