C-doped AlN/GaN HEMTs for High efficiency ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
C-doped AlN/GaN HEMTs for High efficiency mmW applications
Auteur(s) :
Pécheux, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC 2018)
Ville :
Brive La Gaillarde
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-07-05
Titre de la revue :
2018 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC)
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
high electron mobility transistors (HEMTs)
GaN
Carbon doped
output power density and power added efficiency (PAE)
GaN
Carbon doped
output power density and power added efficiency (PAE)
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
We report on high power-added-efficiency using AlN/GaN heterostructure with a carbon doped buffer layer for millimeter wave applications (C-doped HEMTs). The carbon doped HEMTs show high electrical characteristics with a ...
Lire la suite >We report on high power-added-efficiency using AlN/GaN heterostructure with a carbon doped buffer layer for millimeter wave applications (C-doped HEMTs). The carbon doped HEMTs show high electrical characteristics with a maximum drain current density Id of 1.5 A/mm, an extrinsic transconductance Gm of 500 mS/mm and a maximum oscillation frequency fmax above 200 GHz while using a gate length of 120 nm. The high RF performance obtained on the carbon doped HEMT combined to an excellent electron confinement under high bias enabled to achieve a state-of-theart combination at 40 GHz of output power density (POUT = 7 W/mm) and power added efficiency (PAE) above 50% up to VDS = 25V in pulsed mode.Lire moins >
Lire la suite >We report on high power-added-efficiency using AlN/GaN heterostructure with a carbon doped buffer layer for millimeter wave applications (C-doped HEMTs). The carbon doped HEMTs show high electrical characteristics with a maximum drain current density Id of 1.5 A/mm, an extrinsic transconductance Gm of 500 mS/mm and a maximum oscillation frequency fmax above 200 GHz while using a gate length of 120 nm. The high RF performance obtained on the carbon doped HEMT combined to an excellent electron confinement under high bias enabled to achieve a state-of-theart combination at 40 GHz of output power density (POUT = 7 W/mm) and power added efficiency (PAE) above 50% up to VDS = 25V in pulsed mode.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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