Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits
Auteur(s) :
Besendörfer, S. [Auteur]
Meissner, E. [Auteur]
Tajalli, A. [Auteur]
Meneghini, M. [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Freitas, J. [Auteur]
Derluyn, J. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Meneghesso, G. [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Friedrich, J. [Auteur]
Erlbacher, T. [Auteur]
Meissner, E. [Auteur]
Tajalli, A. [Auteur]
Meneghini, M. [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Freitas, J. [Auteur]
Derluyn, J. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Meneghesso, G. [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Friedrich, J. [Auteur]
Erlbacher, T. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
015701
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2020-01-07
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devicesMethodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devicesLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet Européen :
Source :
Fichiers
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