Influence of crystal quality on electron ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Influence of crystal quality on electron mobility in AlGaN/GaN HEMTs grown on Si(111), SiC and GaN templates
Author(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]

Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Journal title :
Journal de Physique IV Proceedings
Pages :
365-368
Publisher :
EDP Sciences
Publication date :
2006-03
ISSN :
1155-4339
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
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