A broadband active microwave monolithically ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
A broadband active microwave monolithically integrated circuit balun in graphene technology
Author(s) :
Fadil, Dalal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Passi, Vikram [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wei, Wei [Auteur]
School of Computer and Electronic Information [Guangxi University]
Salk, Soukaina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zhou, Di [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Strupinski, Wlodek [Auteur]
Warsaw University of Technology [Warsaw]
Lemme, Max [Auteur]
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen University [RWTH]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Passi, Vikram [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wei, Wei [Auteur]
School of Computer and Electronic Information [Guangxi University]
Salk, Soukaina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zhou, Di [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Strupinski, Wlodek [Auteur]
Warsaw University of Technology [Warsaw]
Lemme, Max [Auteur]
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen University [RWTH]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Journal title :
Applied Sciences
Pages :
2183
Publisher :
Multidisciplinary digital publishing institute (MDPI)
Publication date :
2020-03
ISSN :
2076-3417
English keyword(s) :
graphene
microwave
MMIC
integrated circuits
active balun
2D materials
microwave
MMIC
integrated circuits
active balun
2D materials
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
English abstract : [en]
This paper presents the first graphene radiofrequency (RF) monolithic integrated balun circuit. It is composed of four integrated graphene field effect transistors (GFETs). This innovative active balun concept takes advantage ...
Show more >This paper presents the first graphene radiofrequency (RF) monolithic integrated balun circuit. It is composed of four integrated graphene field effect transistors (GFETs). This innovative active balun concept takes advantage of the GFET ambipolar behavior. It is realized using an advanced silicon carbide (SiC) based bilayer graphene FET technology having RF performances of about 20 GHz. Balun circuit measurement demonstrates its high frequency capability. An upper limit of 6 GHz has been achieved when considering a phase difference lower than 10° and a magnitude of amplitude imbalance less than 0.5 dB. Hence, this circuit topology shows excellent performance with large broadband performance and a functionality of up to one-third of the transit frequency of the transistor.Show less >
Show more >This paper presents the first graphene radiofrequency (RF) monolithic integrated balun circuit. It is composed of four integrated graphene field effect transistors (GFETs). This innovative active balun concept takes advantage of the GFET ambipolar behavior. It is realized using an advanced silicon carbide (SiC) based bilayer graphene FET technology having RF performances of about 20 GHz. Balun circuit measurement demonstrates its high frequency capability. An upper limit of 6 GHz has been achieved when considering a phase difference lower than 10° and a magnitude of amplitude imbalance less than 0.5 dB. Hence, this circuit topology shows excellent performance with large broadband performance and a functionality of up to one-third of the transit frequency of the transistor.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
European Project :
Source :
Files
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