Composition modulation by twinning in ...
Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
Title :
Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires
Author(s) :
Schnedler, M. [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Xu, T [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Shanghai University
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Portz, V [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Nys, J-P [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Eisele, H [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TUB]
Dunin-Borkowski, R [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Ebert, P [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Xu, T [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Shanghai University
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Portz, V [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Nys, J-P [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Berthe, Maxime [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Eisele, H [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TUB]
Dunin-Borkowski, R [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Ebert, P [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]

Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Nanotechnology
Publisher :
Institute of Physics
Publication date :
2019-05
ISSN :
0957-4484
English keyword(s) :
semiconductor nanowires
composition modulation
twin boundaries
scanning tunneling microscopy
ternary III–V compounds
composition modulation
twin boundaries
scanning tunneling microscopy
ternary III–V compounds
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
English abstract : [en]
We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four ...
Show more >We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four planes with reduced Sb concentration due to a lower Sb incorporation during lateral overgrowth of a 4H wurtzite as compared to a ZB stacking sequence. We anticipate that this leads to compositional band offsets in addition to known structural band offsets present between 4H and ZB polytypes, changing the band alignment from type II to type I.Show less >
Show more >We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four planes with reduced Sb concentration due to a lower Sb incorporation during lateral overgrowth of a 4H wurtzite as compared to a ZB stacking sequence. We anticipate that this leads to compositional band offsets in addition to known structural band offsets present between 4H and ZB polytypes, changing the band alignment from type II to type I.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :