Composition modulation by twinning in ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires
Auteur(s) :
Schnedler, M. [Auteur]
Xu, T [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shanghai University
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Portz, V [Auteur]
Nys, J-P [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Eisele, H [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TU]
Dunin-Borkowski, R [Auteur]
Ebert, P [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Xu, T [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shanghai University
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Portz, V [Auteur]
Nys, J-P [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Eisele, H [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TU]
Dunin-Borkowski, R [Auteur]
Ebert, P [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Titre de la revue :
Nanotechnology
Éditeur :
Institute of Physics
Date de publication :
2019-05
ISSN :
0957-4484
Mot(s)-clé(s) en anglais :
semiconductor nanowires
composition modulation
twin boundaries
scanning tunneling microscopy
ternary III–V compounds
composition modulation
twin boundaries
scanning tunneling microscopy
ternary III–V compounds
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
Résumé en anglais : [en]
We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four ...
Lire la suite >We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four planes with reduced Sb concentration due to a lower Sb incorporation during lateral overgrowth of a 4H wurtzite as compared to a ZB stacking sequence. We anticipate that this leads to compositional band offsets in addition to known structural band offsets present between 4H and ZB polytypes, changing the band alignment from type II to type I.Lire moins >
Lire la suite >We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four planes with reduced Sb concentration due to a lower Sb incorporation during lateral overgrowth of a 4H wurtzite as compared to a ZB stacking sequence. We anticipate that this leads to compositional band offsets in addition to known structural band offsets present between 4H and ZB polytypes, changing the band alignment from type II to type I.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :