Performance evaluation of silicon based ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Performance evaluation of silicon based thermoelectric generators interest of coupling low thermal conductivity thin films and a planar architecture
Auteur(s) :
Bah, Thierno-Moussa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Didenko, Stanjen [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Monfray, Stephane [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Skotnicki, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Didenko, Stanjen [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Monfray, Stephane [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Skotnicki, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018)
Ville :
Dresden
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-09-03
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of European Solid State Device Research Conference ESSDERC’2018, Dresden, 3-6 Sep. (2018)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2018-09-06
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
Résumé en anglais : [en]
This study aims to compare a silicon ThermoElectric Generator design (TEG) with a commercial TEG made of BiTe alloy commercialized till recently by Micropelt. The objective is to show that recent advances in heat conduction ...
Lire la suite >This study aims to compare a silicon ThermoElectric Generator design (TEG) with a commercial TEG made of BiTe alloy commercialized till recently by Micropelt. The objective is to show that recent advances in heat conduction modulation by silicon planar nanostructures may potentially improve thermoelectric performance of silicon to a competitive level with respect to conventional materials. To that end a planar converter architecture is proposed and modeled by Finite Elements Method and an analytical model based on thermal conductivities reported in the literature. Results show the absence or with a small capacity heat sink. This opens the way to the proposal of TEG based on Si material and compatible with mass production facilities of semiconductor manufacturers.Lire moins >
Lire la suite >This study aims to compare a silicon ThermoElectric Generator design (TEG) with a commercial TEG made of BiTe alloy commercialized till recently by Micropelt. The objective is to show that recent advances in heat conduction modulation by silicon planar nanostructures may potentially improve thermoelectric performance of silicon to a competitive level with respect to conventional materials. To that end a planar converter architecture is proposed and modeled by Finite Elements Method and an analytical model based on thermal conductivities reported in the literature. Results show the absence or with a small capacity heat sink. This opens the way to the proposal of TEG based on Si material and compatible with mass production facilities of semiconductor manufacturers.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet Européen :
Source :