Large-area femtosecond laser ablation of ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Large-area femtosecond laser ablation of Silicon to create membrane with high performance CMOS-SOI RF functions
Auteur(s) :
Bhaskar, Arun [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Philippe, Justine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Berthomé, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Philippe, Justine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Berthomé, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC)
Ville :
Dresden
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-09-18
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 7th Electronics System-Integration Technology Conference, ESTC 2018, Dresden, Germany
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2018-09-21
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Femtosecond laser ablation
RF front end module
Substrate engineering.
RF front end module
Substrate engineering.
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
Femtosecond laser processing is a tool of increasing relevance for controlled etching of metals, semiconductors, and dielectrics with minimum collateral damage. We make use of this technique to remove silicon locally from ...
Lire la suite >Femtosecond laser processing is a tool of increasing relevance for controlled etching of metals, semiconductors, and dielectrics with minimum collateral damage. We make use of this technique to remove silicon locally from the handler substrate of Silicon-on-Insulator (SOI) dies. By combining laser removal with XeF2 etching, we create thin membranes of SP9T switch, with the handler silicon completely removed underneath. This is done in order to mitigate the losses and non-linear products caused by capacitive coupling to the handler substrate. We demonstrate the improvement of linearity and insertion loss of a switch (Fig. 9 and Fig. 10) by employing the proposed method. This could be of potential interest for future wireless applications like 5G.Lire moins >
Lire la suite >Femtosecond laser processing is a tool of increasing relevance for controlled etching of metals, semiconductors, and dielectrics with minimum collateral damage. We make use of this technique to remove silicon locally from the handler substrate of Silicon-on-Insulator (SOI) dies. By combining laser removal with XeF2 etching, we create thin membranes of SP9T switch, with the handler silicon completely removed underneath. This is done in order to mitigate the losses and non-linear products caused by capacitive coupling to the handler substrate. We demonstrate the improvement of linearity and insertion loss of a switch (Fig. 9 and Fig. 10) by employing the proposed method. This could be of potential interest for future wireless applications like 5G.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :