Synthesis of T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Synthesis of T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> thin-films deposited by atomic layer deposition for miniaturized electrochemical energy storage devices
Author(s) :
Ouendi, Saliha [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Arico, Cassandra [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Blanchard, Florent [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Codron, Jean-Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Taberna, Pierre-Louis [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Clavier, Laurent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Centre for Digital Systems [CERI SN - IMT Nord Europe]
Simon, Patrice [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Lethien, Christophe [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Arico, Cassandra [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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Blanchard, Florent [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Codron, Jean-Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Taberna, Pierre-Louis [Auteur]
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Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Clavier, Laurent [Auteur]
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Centre for Digital Systems [CERI SN - IMT Nord Europe]
Simon, Patrice [Auteur]
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Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux [CIRIMAT]
Lethien, Christophe [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Journal title :
Energy Storage Materials
Pages :
581-588
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2019-01
ISSN :
2405-8297
English keyword(s) :
Atomic Layer Deposition
Nb2O5
Micro-devices
Surface capacity
Nb2O5
Micro-devices
Surface capacity
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Atomic Layer Deposition has been used to grow 30 to 90 nm-thick amorphous Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> films onto Pt current collectors deposited on Si wafer. While T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> polymorph is obtained by ...
Show more >Atomic Layer Deposition has been used to grow 30 to 90 nm-thick amorphous Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> films onto Pt current collectors deposited on Si wafer. While T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> polymorph is obtained by further annealing at 750 °C, the film thickness and the resulting electrode areal capacity are successfully controlled by tuning the number of ALD cycles. The electrochemical analysis reveals a lithium ion intercalation redox mechanism in the T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> electrode. An electrode areal capacity of 8 µAh.cm<sup>-2</sup> could be achieved at 1 C, with only 40% capacity loss at 30 C (2 minutes discharging time). This paper aims at demonstrating the use of Atomic Layer Deposition method in the fabrication of Nb<sub>2</sub>0<sub>5</sub>-based on-chip micro-devices for Internet of Things (IoT) applications.Show less >
Show more >Atomic Layer Deposition has been used to grow 30 to 90 nm-thick amorphous Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> films onto Pt current collectors deposited on Si wafer. While T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> polymorph is obtained by further annealing at 750 °C, the film thickness and the resulting electrode areal capacity are successfully controlled by tuning the number of ALD cycles. The electrochemical analysis reveals a lithium ion intercalation redox mechanism in the T-Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> electrode. An electrode areal capacity of 8 µAh.cm<sup>-2</sup> could be achieved at 1 C, with only 40% capacity loss at 30 C (2 minutes discharging time). This paper aims at demonstrating the use of Atomic Layer Deposition method in the fabrication of Nb<sub>2</sub>0<sub>5</sub>-based on-chip micro-devices for Internet of Things (IoT) applications.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :
Files
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