Modeling study of the mobility in FDSOI ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Modeling study of the mobility in FDSOI devices with a focus on near-spacer-region
Author(s) :
Pereira, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Rideau, D. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Nier, O. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Tavernier, C. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Triozon, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Garetto, D. [Auteur]
Synopsys Inc.
Mugny, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Sklenard, B. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Hiblot, G. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Pala, M. [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Rideau, D. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Nier, O. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Tavernier, C. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Triozon, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Garetto, D. [Auteur]
Synopsys Inc.
Mugny, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Sklenard, B. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Hiblot, G. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Pala, M. [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Conference title :
2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
City :
Bologna
Country :
Italie
Start date of the conference :
2015-01-26
Publisher :
IEEE
English keyword(s) :
FDSOI
transport
Kubo-Greenwood
QCDD
Poisson-Schrödinger
mobility
transport
Kubo-Greenwood
QCDD
Poisson-Schrödinger
mobility
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
English abstract : [en]
We have studied the mobility in the FDSOI devices as a function of silicon thickness, doping, surface orientation and applying different back biases. This study is also done in the near-spacer-region that is partially ...
Show more >We have studied the mobility in the FDSOI devices as a function of silicon thickness, doping, surface orientation and applying different back biases. This study is also done in the near-spacer-region that is partially inverted. Simulations have been obtained with a self-consistent Poisson-Schrödinger which provides a precise energy distribution of carriers and, allied to a Kubo-Greenwood carrier mobility solver, performs a quantum corrected drift diffusion (QCDD) model, capable of capturing non local effects on transport (tunneling) and mobility (influence of geometry).Show less >
Show more >We have studied the mobility in the FDSOI devices as a function of silicon thickness, doping, surface orientation and applying different back biases. This study is also done in the near-spacer-region that is partially inverted. Simulations have been obtained with a self-consistent Poisson-Schrödinger which provides a precise energy distribution of carriers and, allied to a Kubo-Greenwood carrier mobility solver, performs a quantum corrected drift diffusion (QCDD) model, capable of capturing non local effects on transport (tunneling) and mobility (influence of geometry).Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :