Atomic scale dopant metrology in an ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Atomic scale dopant metrology in an individual silicon nanowire by atom probe tomography
Auteur(s) :
Chen, W.H. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Lardé, Rodrigue [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Cadel, Emmanuel [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Lardé, Rodrigue [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Cadel, Emmanuel [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Titre de la manifestation scientifique :
Nanotechnology 2010 Advanced Materials, CNTs, Particles, Films and Composites - 2010 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2010
Ville :
Anaheim, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2010-06-21
Date de publication :
2010
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Atom probe
Dopant
Silicon nanowire
Dopant
Silicon nanowire
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Résumé en anglais : [en]
In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic ...
Lire la suite >In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic scale using the three dimensional laser assisted Atom Probe Tomography (APT). This paper reports the preparation of SiNWs and their observation. A three dimensional dopant distribution and its accurate concentration are determined. The possible dopant incorporation pathway into an individual SiNW is also discussed.Lire moins >
Lire la suite >In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic scale using the three dimensional laser assisted Atom Probe Tomography (APT). This paper reports the preparation of SiNWs and their observation. A three dimensional dopant distribution and its accurate concentration are determined. The possible dopant incorporation pathway into an individual SiNW is also discussed.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Oui
Source :