Atomic scale dopant metrology in an ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Atomic scale dopant metrology in an individual silicon nanowire by atom probe tomography
Author(s) :
Chen, W.H. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Lardé, Rodrigue [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Cadel, Emmanuel [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Lardé, Rodrigue [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Cadel, Emmanuel [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Conference title :
Nanotechnology 2010 Advanced Materials, CNTs, Particles, Films and Composites - 2010 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2010
City :
Anaheim, CA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2010-06-21
Publication date :
2010
English keyword(s) :
Atom probe
Dopant
Silicon nanowire
Dopant
Silicon nanowire
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
English abstract : [en]
In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic ...
Show more >In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic scale using the three dimensional laser assisted Atom Probe Tomography (APT). This paper reports the preparation of SiNWs and their observation. A three dimensional dopant distribution and its accurate concentration are determined. The possible dopant incorporation pathway into an individual SiNW is also discussed.Show less >
Show more >In this work, the p-type silicon nanowires (SiNWs) are grown by the Chemical Vapor Deposition (CVD) method using gold as catalyst droplet, silane as precursor and diborane as dopant reactant and are analyzed at the atomic scale using the three dimensional laser assisted Atom Probe Tomography (APT). This paper reports the preparation of SiNWs and their observation. A three dimensional dopant distribution and its accurate concentration are determined. The possible dopant incorporation pathway into an individual SiNW is also discussed.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Oui
Source :