On-Wafer Series-Through Broadband Measurement ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
On-Wafer Series-Through Broadband Measurement of Sub-fF55-nm MOS RF Voltage-Tunable Capacitors
Auteur(s) :
Daffe, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Durand, C. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Haddadi, Kamel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Durand, C. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Haddadi, Kamel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Pagination :
831 - 833
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2018-09
ISSN :
1531-1309
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Capacitance
Uncertainty
Voltage measurement
Microwave measurement
Capacitance measurement
Measurement uncertainty
Probes
Uncertainty
Voltage measurement
Microwave measurement
Capacitance measurement
Measurement uncertainty
Probes
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
The objective of this letter oriented towards microwave measurement of high impedance devices using a conventional on-wafer probe station is multiple. First, we provided a quantification of the measurement uncertainty ...
Lire la suite >The objective of this letter oriented towards microwave measurement of high impedance devices using a conventional on-wafer probe station is multiple. First, we provided a quantification of the measurement uncertainty inherent to the setup when measuring capacitors in the range 0.01-10 fF using both reflection and transmission methods up to 50 GHz. In particular, we demonstrate a clear improvement when using transmission method in series-through configuration. As a practical demonstration, on-wafer MOS voltage-tunable capacitors with capacitances ranging from 0.85 to 1.15 fF are extracted with uncertainties of 130 and 2 aF respectively for both reflection and transmission measurements at 10 GHz. Capacitance fluctuation related to the technological process in the order of 20 aF is then exemplary demonstrated using the series-through configuration. Index Terms-sub-fF MOS varactor, measurement accuracy, on-wafer calibration, vector network analyzer (VNA), two-port measurement, coplanar waveguide (CPW).Lire moins >
Lire la suite >The objective of this letter oriented towards microwave measurement of high impedance devices using a conventional on-wafer probe station is multiple. First, we provided a quantification of the measurement uncertainty inherent to the setup when measuring capacitors in the range 0.01-10 fF using both reflection and transmission methods up to 50 GHz. In particular, we demonstrate a clear improvement when using transmission method in series-through configuration. As a practical demonstration, on-wafer MOS voltage-tunable capacitors with capacitances ranging from 0.85 to 1.15 fF are extracted with uncertainties of 130 and 2 aF respectively for both reflection and transmission measurements at 10 GHz. Capacitance fluctuation related to the technological process in the order of 20 aF is then exemplary demonstrated using the series-through configuration. Index Terms-sub-fF MOS varactor, measurement accuracy, on-wafer calibration, vector network analyzer (VNA), two-port measurement, coplanar waveguide (CPW).Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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