3D patterning of silicon by contact etching ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
3D patterning of silicon by contact etching with anodically biased nanoporous gold electrodes
Auteur(s) :
Torralba, Encarnación [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Assimi, Taha [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Fouchier, Marin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Assimi, Taha [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Fouchier, Marin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Titre de la revue :
Electrochemistry Communications
Pagination :
79-82
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2017
ISSN :
1388-2481
Mot(s)-clé(s) en anglais :
MACE
Imprinting
Microstructure
Silicon
Nanoporous gold
Imprinting
Microstructure
Silicon
Nanoporous gold
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Chimie/Autre
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Chimie/Autre
Résumé en anglais : [en]
A novel strategy to achieve 3D pattern transfer into silicon in a single step without using lithography is presented. Etching is performed electrochemically in HF media by contacting silicon with a positively biased, ...
Lire la suite >A novel strategy to achieve 3D pattern transfer into silicon in a single step without using lithography is presented. Etching is performed electrochemically in HF media by contacting silicon with a positively biased, patterned, metal electrode. Dissolution is localized at the Si/metal contacts and patterning is obtained as the electrode digs into the substrate. Previous attempts at imprinting Si using bulk metal electrodes have been limited by electrolyte blockage. Here, the problem is solved by using, for the first time, a nanoporous metal electrode that allows the electrolyte to access the entire Si/metal interface, irrespective of the electrode dimensions. As a proof of concept, imprinting of well-defined arrays of inverted pyramids has been performed with sub-micrometer spatial resolution over 1 mm2 using a nanoporous gold electrode of the complementary shape. Under a polarization of + 0.3 V/SME in 5 M HF, the etch rate is ~ 0.5 μm min− 1. The pyramidal pattern is imprinted independently of the Si crystallographic orientation. This maskless imprinting technique opens new opportunities in the fabrication of Si microstructures.Lire moins >
Lire la suite >A novel strategy to achieve 3D pattern transfer into silicon in a single step without using lithography is presented. Etching is performed electrochemically in HF media by contacting silicon with a positively biased, patterned, metal electrode. Dissolution is localized at the Si/metal contacts and patterning is obtained as the electrode digs into the substrate. Previous attempts at imprinting Si using bulk metal electrodes have been limited by electrolyte blockage. Here, the problem is solved by using, for the first time, a nanoporous metal electrode that allows the electrolyte to access the entire Si/metal interface, irrespective of the electrode dimensions. As a proof of concept, imprinting of well-defined arrays of inverted pyramids has been performed with sub-micrometer spatial resolution over 1 mm2 using a nanoporous gold electrode of the complementary shape. Under a polarization of + 0.3 V/SME in 5 M HF, the etch rate is ~ 0.5 μm min− 1. The pyramidal pattern is imprinted independently of the Si crystallographic orientation. This maskless imprinting technique opens new opportunities in the fabrication of Si microstructures.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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