Tunable Nanostructuration of Si by MACE ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Tunable Nanostructuration of Si by MACE with Pt nanoparticles under an applied external bias
Auteur(s) :
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Torralba-Penalver, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Torralba-Penalver, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
10th Conference of Porous Semiconductor Science and Technology (PSST)
Ville :
Tarragone
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2016-03-06
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
We present a study on metal assisted chemical etching of p-type c-Si with Pt nanoparticles, performed under controlled polarization of the Si sample in a 3-electrodes electrochemical setup. OCP measurements combined with ...
Lire la suite >We present a study on metal assisted chemical etching of p-type c-Si with Pt nanoparticles, performed under controlled polarization of the Si sample in a 3-electrodes electrochemical setup. OCP measurements combined with impedance spectroscopy and cyclic voltammetry allow to give physical insights in the MACE process. In addition, the application of an external polarization during etching results in a straightforward control of the pore morphology, ranging from straight mesopores to cone-shaped macropores as the Si sample is positively biased. The latter morphology leads to a reduction of the surface reflectivity below 5% which compares favorably with state of the art texturization techniques for Si solar cells.Lire moins >
Lire la suite >We present a study on metal assisted chemical etching of p-type c-Si with Pt nanoparticles, performed under controlled polarization of the Si sample in a 3-electrodes electrochemical setup. OCP measurements combined with impedance spectroscopy and cyclic voltammetry allow to give physical insights in the MACE process. In addition, the application of an external polarization during etching results in a straightforward control of the pore morphology, ranging from straight mesopores to cone-shaped macropores as the Si sample is positively biased. The latter morphology leads to a reduction of the surface reflectivity below 5% which compares favorably with state of the art texturization techniques for Si solar cells.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :