Variation des paramètres d'un transistor ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques
Auteur(s) :
Canderle, Elodie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Chevalier, Pascal [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Chevalier, Pascal [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Ville :
Villeneuve d'Ascq
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2014
Titre de l’ouvrage :
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Date de publication :
2014
Résumé :
Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés ...
Lire la suite >Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers la modification de l'énergie de la bande interdite. En effet on observe +25% en courant collecteur IC entre la structure la moins dense et la plus dense. De même les fréquences fT et fMAX augmentent de +21% et 12% respectivement.Lire moins >
Lire la suite >Dans cette étude, l'impact du schéma de connexion au-dessus d'un transistor (technologie BiCMOS9MW) est évalué grâce à différentes configurations de " dummies ". Il est montré que plusieurs paramètres clés sont modifiés en fonction de la densité de connexions en métal à travers la modification de l'énergie de la bande interdite. En effet on observe +25% en courant collecteur IC entre la structure la moins dense et la plus dense. De même les fréquences fT et fMAX augmentent de +21% et 12% respectivement.Lire moins >
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :