Nouvelle technologie de contact pour CMOS ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire
Auteur(s) :
Borrel, Julien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Hutin, Louis [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grégoire, Magali [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Nemouchi, Fabrice [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Rozeau, Olivier [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Hutin, Louis [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grégoire, Magali [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Nemouchi, Fabrice [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Rozeau, Olivier [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
17es Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Ville :
Villeneuve d'Ascq
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2014
Titre de l’ouvrage :
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Date de publication :
2014
Discipline(s) HAL :
Science non linéaire [physics]
Résumé :
Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet ...
Lire la suite >Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet dans un premier temps de relâcher l'ancrage du niveau de Fermi impliquant une première réduction de la hauteur de barrière Schottky. De plus, l'apparition d'un dipôle à l'interface entre les deux oxydes engendre une modification des bandes pouvant entraîner une réduction additionnelle de la hauteur de barrière. Cette technologie est donc pressentie pour la réalisation de contacts pour CMOS FD-SOI 10nm présentant une résistance de contact de l'ordre de 10-9 Ω.cm2.Lire moins >
Lire la suite >Il a récemment été démontré [1] que l'insertion d'une bicouche de diélectriques entre le métal et le semiconducteur d'un contact pouvait induire une réduction significative de la résistance spécifique. Cet ajout permet dans un premier temps de relâcher l'ancrage du niveau de Fermi impliquant une première réduction de la hauteur de barrière Schottky. De plus, l'apparition d'un dipôle à l'interface entre les deux oxydes engendre une modification des bandes pouvant entraîner une réduction additionnelle de la hauteur de barrière. Cette technologie est donc pressentie pour la réalisation de contacts pour CMOS FD-SOI 10nm présentant une résistance de contact de l'ordre de 10-9 Ω.cm2.Lire moins >
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :