Electronic structure and transport properties ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Electronic structure and transport properties of Si nanotubes
Auteur(s) :
Li, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Niquet, Y.M. [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Niquet, Y.M. [Auteur]
Service de Physique des Matériaux et Microstructures [SP2M - UMR 9002]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
053706
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2013
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
The electronic structure and the transport properties of Si nanotubes with outer diameter between 2 and 20 nm are investigated using fully atomistic simulations. A formula is given for the energy of the band edges versus ...
Lire la suite >The electronic structure and the transport properties of Si nanotubes with outer diameter between 2 and 20 nm are investigated using fully atomistic simulations. A formula is given for the energy of the band edges versus diameter and thickness. The phonon-limited mobility of electrons and holes is calculated and is compared to the case of Si nanowires. It is found that the thickness of the nanotubes is the main parameter controlling the shape of the band structure and the values of the effective masses. Configurations with expected best carrier mobilities are discussedLire moins >
Lire la suite >The electronic structure and the transport properties of Si nanotubes with outer diameter between 2 and 20 nm are investigated using fully atomistic simulations. A formula is given for the energy of the band edges versus diameter and thickness. The phonon-limited mobility of electrons and holes is calculated and is compared to the case of Si nanowires. It is found that the thickness of the nanotubes is the main parameter controlling the shape of the band structure and the values of the effective masses. Configurations with expected best carrier mobilities are discussedLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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