A converging route towards very high ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
A converging route towards very high frequency, mechanically flexible, and performance stable integrated electronics
Auteur(s) :
Lecavelier Des Etangs-Levallois, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chen, Z. K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tagro, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Raynaud, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Ratajczak, J. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chen, Z. K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tagro, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Raynaud, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Ratajczak, J. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
153701
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2013
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
The ability to realize flexible circuits integrating sensing, signal processing, and communicating capabilities is of central importance for the development of numerous nomadic applications requiring foldable, stretchable, ...
Lire la suite >The ability to realize flexible circuits integrating sensing, signal processing, and communicating capabilities is of central importance for the development of numerous nomadic applications requiring foldable, stretchable, and large area electronics. A key challenge is, however, to combine high electrical performance (i.e., millimeter wave, low noise electronics) with mechanical flexibility required for chip form adaptivity in addition to highly stable electrical performance upon deformation. Here, we describe a solution based on ultimate thinning and transfer onto a plastic foil of high frequency CMOS devices initially processed on conventional silicon-on-insulator wafers. We demonstrate a methodology relying on neutral plane engineering to provide high performance stability upon bending, by locating the active layer, i.e., the transistor channel, at the neutral fiber of the flexible system. Following this strategy, record frequency performance of flexible n-MOSFETs, featuring fT/fMAX of 120/145 GHz, is reported with relative variations limited to less than 5% even under aggressive bending on cylinders with curvature radii down to 12.5 mmLire moins >
Lire la suite >The ability to realize flexible circuits integrating sensing, signal processing, and communicating capabilities is of central importance for the development of numerous nomadic applications requiring foldable, stretchable, and large area electronics. A key challenge is, however, to combine high electrical performance (i.e., millimeter wave, low noise electronics) with mechanical flexibility required for chip form adaptivity in addition to highly stable electrical performance upon deformation. Here, we describe a solution based on ultimate thinning and transfer onto a plastic foil of high frequency CMOS devices initially processed on conventional silicon-on-insulator wafers. We demonstrate a methodology relying on neutral plane engineering to provide high performance stability upon bending, by locating the active layer, i.e., the transistor channel, at the neutral fiber of the flexible system. Following this strategy, record frequency performance of flexible n-MOSFETs, featuring fT/fMAX of 120/145 GHz, is reported with relative variations limited to less than 5% even under aggressive bending on cylinders with curvature radii down to 12.5 mmLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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