100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation
Author(s) :
Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
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Roelens, Yannick [Auteur]
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Zaknoune, Mohammed [Auteur]
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Desplanque, Ludovic [Auteur]
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Wallart, Xavier [Auteur]
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Bollaert, Sylvain [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
City :
Berlin
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :