High power density performances of SiGe ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band
Auteur(s) :
Pottrain, A. [Auteur]
Lacave, T. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Chevalier, P. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lacave, T. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Chevalier, P. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
182-184
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2012
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :