Effect of heterostructure design on ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Effect of heterostructure design on current-voltage characteristics in AlxGa1-xN/GaN double-barriers resonant tunneling diode
Auteur(s) :
Boucherit, Mohamed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvacque, J.L. [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvacque, J.L. [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
114305
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2012
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
Ballistic transport in double-barriers resonant tunneling diodes based on GaN is investigated in this work using the non-equilibrium Green's functions formalism. The electron density of states, the electrons concentration, ...
Lire la suite >Ballistic transport in double-barriers resonant tunneling diodes based on GaN is investigated in this work using the non-equilibrium Green's functions formalism. The electron density of states, the electrons concentration, and the current-voltage characteristics are calculated taking into account the internal electric field induced in the AlxGa1−xN/GaN heterostructures. The effect of the geometrical parameters on the evolution of the current resonances characteristics was analyzed qualitatively by varying GaN quantum well width, thicknesses and height of the AlxGa1−xN barriers.Lire moins >
Lire la suite >Ballistic transport in double-barriers resonant tunneling diodes based on GaN is investigated in this work using the non-equilibrium Green's functions formalism. The electron density of states, the electrons concentration, and the current-voltage characteristics are calculated taking into account the internal electric field induced in the AlxGa1−xN/GaN heterostructures. The effect of the geometrical parameters on the evolution of the current resonances characteristics was analyzed qualitatively by varying GaN quantum well width, thicknesses and height of the AlxGa1−xN barriers.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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