Dual-purpose BGaN layers on performance ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based high electron mobility transistors
Auteur(s) :
Ravindran, Vinod [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Boucherit, Mohamed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gautier, Simon [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Moudakir, Tarik [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Dickerson, Jeramy [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Voss, Paul [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ougazzaden, Abdallah [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Boucherit, Mohamed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gautier, Simon [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Moudakir, Tarik [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Dickerson, Jeramy [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Voss, Paul [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ougazzaden, Abdallah [Auteur]
Georgia Institute of Technology [Atlanta]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
243503-1-4
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2012
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
A GaN/ultrathin BGaN/GaN heterojunction is used in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) to provide an electrostatic barrier to electrons and to improve the confinement of the 2-dimensional electron gas. ...
Lire la suite >A GaN/ultrathin BGaN/GaN heterojunction is used in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) to provide an electrostatic barrier to electrons and to improve the confinement of the 2-dimensional electron gas. BGaN back-barrier layers limit leakage in the GaN buffer thanks to two effects: a polarization-induced band discontinuity and a resistive barrier originating from excellent insulation properties of BGaN. Compared to conventional AlGaN/GaN HEMTs, structures grown with BGaN back-barrier showed a significant improvement of static performances, transport properties, and trapping effects involving a limited current collapse in dynamic regime. A DC maximum current increase of 58.7% was observedLire moins >
Lire la suite >A GaN/ultrathin BGaN/GaN heterojunction is used in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) to provide an electrostatic barrier to electrons and to improve the confinement of the 2-dimensional electron gas. BGaN back-barrier layers limit leakage in the GaN buffer thanks to two effects: a polarization-induced band discontinuity and a resistive barrier originating from excellent insulation properties of BGaN. Compared to conventional AlGaN/GaN HEMTs, structures grown with BGaN back-barrier showed a significant improvement of static performances, transport properties, and trapping effects involving a limited current collapse in dynamic regime. A DC maximum current increase of 58.7% was observedLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00787871/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00787871/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00787871/document
- Accès libre
- Accéder au document
- document
- Accès libre
- Accéder au document
- Ravindran_2012_1.4729154.pdf
- Accès libre
- Accéder au document