Band gap engineering in simultaneous ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Band gap engineering in simultaneous phononic and photonic crystal slabs
Auteur(s) :
Djafari-Rouhani, Bahram [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pennec, Yan [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Boudouti, El Houssaine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vasseur, Jérôme [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Hassouani, Youssef [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Li, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
AKJOUJ, ABDELLATIF [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bria, Driss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pennec, Yan [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Boudouti, El Houssaine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vasseur, Jérôme [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Hassouani, Youssef [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Li, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
AKJOUJ, ABDELLATIF [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bria, Driss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied physics. A, Materials science & processing
Pagination :
735-739
Éditeur :
Springer Verlag
Date de publication :
2011
ISSN :
0947-8396
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Boron Nitride
Periodic Array
Phononic Crystal
Photonic Crystal Slab
Phononic Band Structure
Periodic Array
Phononic Crystal
Photonic Crystal Slab
Phononic Band Structure
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We discuss the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in two types of phononic crystals slabs, namely periodic arrays of nanoholes in a Si membrane and of Si nanodots on a SiO2 membrane. In the former ...
Lire la suite >We discuss the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in two types of phononic crystals slabs, namely periodic arrays of nanoholes in a Si membrane and of Si nanodots on a SiO2 membrane. In the former geometry, we investigate in detail both the boron nitride lattice and the square lattice with two atoms per unit cell (these include the square, triangular and honeycomb lattices as particular cases). In the latter geometry, some preliminary results are reported for a square lattice.Lire moins >
Lire la suite >We discuss the simultaneous existence of phononic and photonic band gaps in two types of phononic crystals slabs, namely periodic arrays of nanoholes in a Si membrane and of Si nanodots on a SiO2 membrane. In the former geometry, we investigate in detail both the boron nitride lattice and the square lattice with two atoms per unit cell (these include the square, triangular and honeycomb lattices as particular cases). In the latter geometry, some preliminary results are reported for a square lattice.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://zenodo.org/record/845/files/BandGapEngineeringinSimultaneous_DjafariPennec_ApPhys_2011.pdf
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