Gallium nitride approach for MEMS resonators ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Gallium nitride approach for MEMS resonators with highly tunable piezo-amplified transducers
Auteur(s) :
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brandli, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ben Amar, Achraf [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Boyaval, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Buchaillot, Lionel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brandli, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ben Amar, Achraf [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Boyaval, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Buchaillot, Lionel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2011
Ville :
Cancun
Pays :
Mexique
Date de début de la manifestation scientifique :
2011-01-23
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2011
Date de publication :
2011
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gallium nitride
HEMTs
Logic gates
Silicon
Micromechanical devices
Optical resonators
Aluminum gallium nitride
HEMTs
Logic gates
Silicon
Micromechanical devices
Optical resonators
Aluminum gallium nitride
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The properties of a new class of electromechanical resonators based on GaN are presented. By using the two-dimensional electron gas (2-DEG) present at the AlGaN/GaN interface and the piezoelectric properties of this ...
Lire la suite >The properties of a new class of electromechanical resonators based on GaN are presented. By using the two-dimensional electron gas (2-DEG) present at the AlGaN/GaN interface and the piezoelectric properties of this heterostructure, we use the R-HEMT (Resonant High Electron Mobility Transistor) as an active piezoelectric transducer up to 5MHz. In addition to the amplification effect of piezoelectric detection, we show that the active piezoelectric transduction has a strong dependence with the channel mobility that is controlled by a top gate. This allows to envision highly tunable sensors with co-integrated HEMT electronics.Lire moins >
Lire la suite >The properties of a new class of electromechanical resonators based on GaN are presented. By using the two-dimensional electron gas (2-DEG) present at the AlGaN/GaN interface and the piezoelectric properties of this heterostructure, we use the R-HEMT (Resonant High Electron Mobility Transistor) as an active piezoelectric transducer up to 5MHz. In addition to the amplification effect of piezoelectric detection, we show that the active piezoelectric transduction has a strong dependence with the channel mobility that is controlled by a top gate. This allows to envision highly tunable sensors with co-integrated HEMT electronics.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :